Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO

Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Stashans, Arvids	es_ES
dc.contributor.author	Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio	es_ES
dc.date.accessioned	2016-09-02T18:25:58Z	-
dc.date.available	2016-09-02	-
dc.date.issued	2016	es_ES
dc.identifier.citation	Marcillo Rivadeneira, F. P. Stashans, A. (2016) Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO [Tesis de Grado, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531	es_ES
dc.identifier.other	Cobarc: 1181075	es_ES
dc.identifier.uri	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=93769.TITN.	es_ES
dc.description	Resumen: Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipon, así como conductividad de tipop en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctrica de tipo-n. Más adelante, para alcanzar la conductividad tipop, el semiconductor que ya poseía conductividad de tipon, fue dopado con la impureza de nitrógeno (5.567.41% en moles de concentraciones). Después, fue codopado con las impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (7.41 a 9.26% mol de concentración). Por último, fue tridopado con impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración), arsénico (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (3.70% mol de concentración). Se ha obtenido una explicación detallada de los cambios estructurales sufridos por la geometría del material, así como los cambios en sus propiedades magnéticas y eléctricas. Nuestros resultados teóricos concuerdan con los resultados encontrados a nivel experimental.	es_ES
dc.description.abstract	Abstract: Using the DFT+U method, we reproduce both intrinsic n-type as well as p-type electrical conductivity. Initially, an oxygen vacancy (1.56 mol% concentration) combined with a hydrogen situated in a strategic site of the lattice was used to achieve the n-type electrical conductivity. Later, to attain the p-type conductivity, semiconductor already possessing n-type conductivity, was doped with nitrogen (5.56-7.41 mol% concentrations) impurity. After, it was codoped with aluminium (1.85 mol% concentration) and nitrogen (7.41 - 9.26 mol% concentration) impurities. Finally, it was triple-doped with aluminium (1.85 mol% concentration), arsenic (1.85 mol% concentration) and nitrogen (3.70 mol% concentration) impurities. Detailed explanation of structural changes of the material due to the doping as well as the changes in its magnetic and electrical properties has been given. Our theoretical results to a very good extent match the available experimental data.	es_ES
dc.language	spa	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Ecuador.	es_ES
dc.subject	Tesis digital.	es_ES
dc.title	Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Appears in Collections:	Bioquímico Farmacéutico

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