Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.

Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Stashans, Arvids	-
dc.contributor.author	Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio	-
dc.date.accessioned	2016-09-02T18:25:58Z	-
dc.date.available	2016-09-02	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.citation	Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio. (2016). Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO. (Trabajo de Titulación de Ingeniero Químico). UTPL, Loja	es_ES
dc.identifier.other	1181075	-
dc.identifier.uri	http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531	-
dc.description	Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipo–n, así como conductividad de tipo–p en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctrica de tipo-n. Más adelante, para alcanzar la conductividad tipo–p, el semiconductor que ya poseía conductividad de tipo–n, fue dopado con la impureza de nitrógeno (5.56–7.41% en moles de concentraciones). Después, fue codopado con las impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (7.41 a 9.26% mol de concentración). Por último, fue tridopado con impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración), arsénico (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (3.70% mol de concentración). Se ha obtenido una explicación detallada de los cambios estructurales sufridos por la geometría del material, así como los cambios en sus propiedades magnéticas y eléctricas. Nuestros resultados teóricos concuerdan con los resultados encontrados a nivel experimental.	es_ES
dc.description.abstract	Using the DFT+U method, we reproduce both intrinsic n-type as well as p-type electrical conductivity. Initially, an oxygen vacancy (1.56 mol% concentration) combined with a hydrogen situated in a strategic site of the lattice was used to achieve the n-type electrical conductivity. Later, to attain the p-type conductivity, semiconductor already possessing n-type conductivity, was doped with nitrogen (5.56 - 7.41 mol% concentrations) impurity. After, it was codoped with aluminium (1.85 mol% concentration) and nitrogen (7.41 - 9.26 mol% concentration) impurities. Finally, it was triple-doped with aluminium (1.85 mol% concentration), arsenic (1.85 mol% concentration) and nitrogen (3.70 mol% concentration) impurities. Detailed explanation of structural changes of the material due to the doping as well as the changes in its magnetic and electrical properties has been given. Our theoretical results to a very good extent match the available experimental data	es_ES
dc.language	spa	es_ES
dc.subject	Óxido de zinc	es_ES
dc.subject	Conductividad eléctrica tipo-n – Origen	es_ES
dc.subject	Semiconductor tipo-n - Propiedades	es_ES
dc.subject	Semiconductor tipo-p y – Propiedades	es_ES
dc.subject	Ingeniero químico – Tesis y disertaciones académicas.	es_ES
dc.title	Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO.	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Appears in Collections:	Bioquímico Farmacéutico

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