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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.advisorStashans, Arvidses_ES
dc.contributor.authorMaldonado Morocho, Frank Edisones_ES
dc.date.accessioned2012-02-01T22:42:20Z-
dc.date.available2012-02-01-
dc.date.issued2010es_ES
dc.identifier.citationMaldonado Morocho, F. E. Stashans, A. (2010) Estudio de las propiedades electrónicas del óxido de zinc (ZNO) [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/1906es_ES
dc.identifier.otherCobarc: 1028843es_ES
dc.identifier.urihttps://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=26017.TITN.es_ES
dc.descriptionResumen: El desarrollo de la electrónica está directamente ligado al desarrollo en materiales semiconductores ya que mediante los avances en estos materiales se ha podido crear una gran variedad de dispositivos. Así, la constante búsqueda de nuevas y mejores tecnologías llevan a los investigadores a la exploración de mejores y/o nuevos materiales modificando las propiedades de estos; haciendo que las propiedades del material desarrollado sean lo más óptimas para la aplicación requerida. En la actualidad la investigación sobre nuevos materiales de manera general se lleva a cabo mediante el uso de métodos computacionales y/o experimentales. Los métodos computacionales permiten observar, analizar y estudiar fenómenos a nivel atómico, este hecho facilita la comprensión de fenómenos que ocurren a ese nivel.es_ES
dc.description.abstractN/Des_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.subjectEcuador.es_ES
dc.subjectTesis digital.es_ES
dc.titleEstudio de las propiedades electrónicas del óxido de zinc (ZNO)es_ES
dc.typemasterThesises_ES
Aparece en las colecciones: Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones

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