Modelo DFT de la interacción de monocapas metálicas en semiconductores: Ag/Ge (111) y Pb/Si (111). ( Tesis de Ingeniero Químico). UTPL. Loja. pp. 45.

Cuesta Vega, Jessica Otilia

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/8130

Registro completo de metadatos

Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.advisor	González Pérez, Silvia	-
dc.contributor.author	Cuesta Vega, Jessica Otilia	-
dc.date.accessioned	2013-11-28T20:21:18Z	-
dc.date.available	2013-11-28	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.citation	Cuesta Vega, Jessica Otilia. (2013). Modelo DFT de la interacción de monocapas metálicas en semiconductores: Ag/Ge (111) y Pb/Si (111). ( Tesis de Ingeniero Químico). UTPL. Loja. pp. 45.	es_ES
dc.identifier.other	1137130	-
dc.identifier.uri	http:/dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/8130	-
dc.description	La energía superficial de los diferentes sistemas; semiconductores (Ge y Si), metales (Ag y Ge), y las sobre capas metálicas en los semiconductores (Ag/Ge y Pb/Si), ha sido calculada usando la teoría del funcional de la densidad (DFT) para estudiar el efecto del metal en las propiedades del semiconductor. Las adcapas de Pb (111) y Ag (111) en las superficies de Si (111) y Ge (111) fueron modeladas usando la aproximación de supercelda periódica. Los cálculos periódicos de la energía para el bulk y las superficies de Ge, Si, Pb y Ag, con 12, 11, 10, 9, 8, 7 y 6 capas y SC12-nMn (donde SC es Ge o Si; M es Ag y Pb, respectivamente, y n es el número de capas), los modelos de slab del sistema de adcapas metálicas en semiconductores fueron calculados usando el funcional Perdew Wang (PW91) con el método proyector de ondas aumentadas (PAW) dentro de la aproximación GGA. Conforme a los resultados obtenidos, las adcapas metálicas en los semiconductores modifican la energía superficial de los semiconductores y viceversa. Los valores para el sistema SC12-nMn presentan una tendencia similar a las capas metálicas Los valores de la energía superficial son intermedios entre el semiconductor correspondiente y el metal. Estos resultados indican que si el número de capas metálicas en los semiconductores puede ser controlado, entonces la energía superficial puede ser dirigida.	es_ES
dc.language.iso	es	es_ES
dc.rights	openAccess	es_ES
dc.subject	Química cuántica	es_ES
dc.subject	Química computacional	es_ES
dc.subject	Monocapas metálicas	es_ES
dc.subject	Semiconductores	es_ES
dc.subject	Ingeniería Química - Tesis	es_ES
dc.title	Modelo DFT de la interacción de monocapas metálicas en semiconductores: Ag/Ge (111) y Pb/Si (111). ( Tesis de Ingeniero Químico). UTPL. Loja. pp. 45.	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Aparece en las colecciones:	Ingeniero Químico

Ficheros en este ítem:

Fichero	Descripción	Tamaño	Formato
Cuesta_Vega_Jessica_Otilia.pdf		1.59 MB	Adobe PDF	Visualizar/Abrir

Mostrar el registro sencillo del ítem

Trabajos de titulación de grado y posgrado de sus dos modalidades de estudio de la UTPL.