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http://dspace.utpl.edu.ec/jspui/handle/123456789/15531| Title: | Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO. |
| Authors: | Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Stashans, Arvids |
| Keywords: | Óxido de zinc Conductividad eléctrica tipo-n – Origen Semiconductor tipo-n - Propiedades Semiconductor tipo-p y – Propiedades Ingeniero químico – Tesis y disertaciones académicas. |
| metadata.dc.date.available: | 2016-09-02 |
| Issue Date: | 2016 |
| Citation: | Marcillo Rivadeneira, Freddy Patricio. (2016). Origen de la conductividad eléctrica tipo-n y cambio al tipo-p del material ZnO. (Trabajo de Titulación de Ingeniero Químico). UTPL, Loja |
| Abstract: | Using the DFT+U method, we reproduce both intrinsic n-type as well as p-type electrical conductivity. Initially, an oxygen vacancy (1.56 mol% concentration) combined with a hydrogen situated in a strategic site of the lattice was used to achieve the n-type electrical conductivity. Later, to attain the p-type conductivity, semiconductor already possessing n-type conductivity, was doped with nitrogen (5.56 - 7.41 mol% concentrations) impurity. After, it was codoped with aluminium (1.85 mol% concentration) and nitrogen (7.41 - 9.26 mol% concentration) impurities. Finally, it was triple-doped with aluminium (1.85 mol% concentration), arsenic (1.85 mol% concentration) and nitrogen (3.70 mol% concentration) impurities. Detailed explanation of structural changes of the material due to the doping as well as the changes in its magnetic and electrical properties has been given. Our theoretical results to a very good extent match the available experimental data |
| Description: | Utilizando el método DFT+U, reproducimos tanto la conductividad eléctrica tipo–n, así como conductividad de tipo–p en el ZnO. Inicialmente, una vacancia de oxígeno (1.85% mol de concentración) se combina con un hidrógeno en lugar estratégico en la red cristalina para lograr la conductividad eléctrica de tipo-n. Más adelante, para alcanzar la conductividad tipo–p, el semiconductor que ya poseía conductividad de tipo–n, fue dopado con la impureza de nitrógeno (5.56–7.41% en moles de concentraciones). Después, fue codopado con las impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (7.41 a 9.26% mol de concentración). Por último, fue tridopado con impurezas de aluminio (1.85% mol de concentración), arsénico (1.85% mol de concentración) y de nitrógeno (3.70% mol de concentración). Se ha obtenido una explicación detallada de los cambios estructurales sufridos por la geometría del material, así como los cambios en sus propiedades magnéticas y eléctricas. Nuestros resultados teóricos concuerdan con los resultados encontrados a nivel experimental. |
| metadata.dc.identifier.other: | 1181075 |
| URI: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/15531 |
| metadata.dc.language: | spa |
| metadata.dc.type: | bachelorThesis |
| Appears in Collections: | Bioquímico Farmacéutico |
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