Bienvenido al Repositorio Institucional de la UTPL (RiUTPL) que tiene como propósito centralizar los recursos educativos y objetos de aprendizaje generados por la comunidad académica;
este repositorio permitirá preservar, organizar y visibilizar la producción institucional
bajo la licencia Creative Commons 4.0.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/1906| Title: | Estudio de las propiedades electrónicas del óxido de zinc (ZNO) |
| Authors: | Stashans, Arvids Maldonado Morocho, Frank Edison |
| Keywords: | Materiales semiconductores Óxido de Zinc Software Clusterd Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones - Tesis y disertaciones académicas |
| Issue Date: | 2010 |
| Citation: | Maldonado Morocho, Frank Edison. (2010). Estudio de las propiedades electrónicas del óxido de zinc (ZNO). (Trabajo de Titulación de Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones). UTPL, Loja. |
| Description: | El desarrollo de la electrónica está directamente ligado al desarrollo en materiales semiconductores ya que mediante los avances en estos materiales se ha podido crear una gran variedad de dispositivos. Así, la constante búsqueda de nuevas y mejores tecnologías llevan a los investigadores a la exploración de mejores y/o nuevos materiales modificando las propiedades de estos; haciendo que las propiedades del material desarrollado sean lo más óptimas para la aplicación requerida. En la actualidad la investigación sobre nuevos materiales de manera general se lleva a cabo mediante el uso de métodos computacionales y/o experimentales. Los métodos computacionales permiten observar, analizar y estudiar fenómenos a nivel atómico, este hecho facilita la comprensión de fenómenos que ocurren a ese nivel. En el presente trabajo se utiliza el método computacional para la investigación del cristal de Óxido de Zinc, material que tiene gran importancia en un gran número de aplicaciones en dispositivos electrónicos en la actualidad y es prospecto de muchas otras en el futuro. Por ello este material fue seleccionado para su estudio bajo la presencia de defectos puntuales con un enfoque a la parte electrónica del mismo, aportando con nuevos conocimientos. |
| URI: | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/1906 |
| Appears in Collections: | Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Utpl_Maldonado_Morocho_Frank_621x121.rar | 47.95 MB | Unknown | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.