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Title:	Modelo DFT de la interacción de monocapas metálicas en semiconductores: Ag/Ge (111) y Pb/Si (111). ( Tesis de Ingeniero Químico). UTPL. Loja. pp. 45.
Authors:	González Pérez, Silvia Cuesta Vega, Jessica Otilia
Keywords:	Química cuántica Química computacional Monocapas metálicas Semiconductores Ingeniería Química - Tesis
Issue Date:	2013
Citation:	Cuesta Vega, Jessica Otilia. (2013). Modelo DFT de la interacción de monocapas metálicas en semiconductores: Ag/Ge (111) y Pb/Si (111). ( Tesis de Ingeniero Químico). UTPL. Loja. pp. 45.
Description:	La energía superficial de los diferentes sistemas; semiconductores (Ge y Si), metales (Ag y Ge), y las sobre capas metálicas en los semiconductores (Ag/Ge y Pb/Si), ha sido calculada usando la teoría del funcional de la densidad (DFT) para estudiar el efecto del metal en las propiedades del semiconductor. Las adcapas de Pb (111) y Ag (111) en las superficies de Si (111) y Ge (111) fueron modeladas usando la aproximación de supercelda periódica. Los cálculos periódicos de la energía para el bulk y las superficies de Ge, Si, Pb y Ag, con 12, 11, 10, 9, 8, 7 y 6 capas y SC12-nMn (donde SC es Ge o Si; M es Ag y Pb, respectivamente, y n es el número de capas), los modelos de slab del sistema de adcapas metálicas en semiconductores fueron calculados usando el funcional Perdew Wang (PW91) con el método proyector de ondas aumentadas (PAW) dentro de la aproximación GGA. Conforme a los resultados obtenidos, las adcapas metálicas en los semiconductores modifican la energía superficial de los semiconductores y viceversa. Los valores para el sistema SC12-nMn presentan una tendencia similar a las capas metálicas Los valores de la energía superficial son intermedios entre el semiconductor correspondiente y el metal. Estos resultados indican que si el número de capas metálicas en los semiconductores puede ser controlado, entonces la energía superficial puede ser dirigida.
URI:	http:/dspace.utpl.edu.ec/handle/123456789/8130
Appears in Collections:	Ingeniero Químico

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