Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido

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Title:	Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido
Authors:	Villamagua Conza, Luis Miguel Flores Carpio, Jackson Francisco
Keywords:	Ecuador. Tesis digital.
Issue Date:	2017
Citation:	Flores Carpio, J. F. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828
Abstract:	N/D
Description:	Resumen: El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el International Technology Roadmap for Semiconductors. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje.
URI:	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102092.TITN.
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