Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.

Flores Carpio, Jackson Francisco; Ojeda Ortega, José Vinicio

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Villamagua Conza, Luis Miguel	-
dc.contributor.author	Flores Carpio, Jackson Francisco	-
dc.contributor.author	Ojeda Ortega, José Vinicio	-
dc.date.accessioned	2017-10-02T17:59:32Z	-
dc.date.available	2017-10-02T17:59:32Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.citation	Flores Carpio, Jackson Francisco y Ojeda Ortega, José Vinicio.(2017).Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.(Trabajo de titulación de Ingeniería en Eletrónica y Telecomunicaciones). UTPL, Loja	es_ES
dc.identifier.other	1271921	-
dc.identifier.uri	http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828	-
dc.description	El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el ”International Technology Roadmap for Semiconductors”. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje.	es_ES
dc.description.abstract	The aim of the present research is to carry out the design and characterization of MOSFET devices as their gate oxide thickness and channel length are varied in the 180-nm and 250-nm technologic nodes. Such technologies were simulated by following the guidelines provided in the International Technology Roadmap for Semiconductors. Changes in the electrical characteristics for the different configurations were ascribed both to the doping levels and diffusion levels. We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, effective mobility and drain barrier low induced.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Diseño acústico	es_ES
dc.subject	Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones -Tesis y disertaciones académicas	es_ES
dc.title	Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Appears in Collections:	Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Flores Carpio, Jackson Francisco y Ojeda Ortega José Vinicio.pdf		3.4 MB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record