Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido

Flores Carpio, Jackson Francisco

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Villamagua Conza, Luis Miguel	es_ES
dc.contributor.author	Flores Carpio, Jackson Francisco	es_ES
dc.date.accessioned	2017-10-02T17:59:32Z	-
dc.date.available	2017-10-02T17:59:32Z	-
dc.date.issued	2017	es_ES
dc.identifier.citation	Flores Carpio, J. F. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido [Tesis de Grado, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828	es_ES
dc.identifier.other	Cobarc: 1271921	es_ES
dc.identifier.uri	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102092.TITN.	es_ES
dc.description	Resumen: El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varía el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el International Technology Roadmap for Semiconductors 148; Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje.	es_ES
dc.description.abstract	Abstract: The aim of the present research is to carry out the design and characterization of MOSFET devices as their gate oxide thickness and channel length are varied in the 180-nm and 250-nm technologic nodes. Such technologies were simulated by following the guidelines provided in the International Technology Roadmap for Semiconductors. Changes in the electrical characteristics for the different configurations were ascribed both to the doping levels and diffusion levels. We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, effective mobility and drain barrier low induced.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Ecuador.	es_ES
dc.subject	Tesis digital.	es_ES
dc.title	Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
Appears in Collections:	Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones

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