Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828

Título :	Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido
Autor :	Villamagua Conza, Luis Miguel Flores Carpio, Jackson Francisco
Palabras clave :	Ecuador. Tesis digital.
Fecha de publicación :	2017
Citación :	Flores Carpio, J. F. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828
Resumen :	N/D
Descripción :	Resumen: El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el International Technology Roadmap for Semiconductors. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje.
URI :	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102092.TITN.
Aparece en las colecciones:	Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones

Ficheros en este ítem:

Fichero	Descripción	Tamaño	Formato
Flores Carpio, Jackson Francisco y Ojeda Ortega José Vinicio.pdf		3.4 MB	Adobe PDF	Visualizar/Abrir