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http://dspace.utpl.edu.ec/jspui/handle/20.500.11962/20828| Título : | Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido. |
| Autor : | Flores Carpio, Jackson Francisco Ojeda Ortega, José Vinicio |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Villamagua Conza, Luis Miguel |
| Palabras clave : | Diseño acústico Ingeniería en Electrónica y Telecomunicaciones -Tesis y disertaciones académicas |
| metadata.dc.date.available: | 2017-10-02T17:59:32Z |
| Fecha de publicación : | 2017 |
| Citación : | Flores Carpio, Jackson Francisco y Ojeda Ortega, José Vinicio.(2017).Diseñar y caracterizar dispositivos MOSFET 2D con diferentes longitudes de canal y espesor de óxido.(Trabajo de titulación de Ingeniería en Eletrónica y Telecomunicaciones). UTPL, Loja |
| Resumen : | The aim of the present research is to carry out the design and characterization of MOSFET devices as their gate oxide thickness and channel length are varied in the 180-nm and 250-nm technologic nodes. Such technologies were simulated by following the guidelines provided in the International Technology Roadmap for Semiconductors. Changes in the electrical characteristics for the different configurations were ascribed both to the doping levels and diffusion levels. We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, effective mobility and drain barrier low induced. |
| Descripción : | El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET cuando se varia el óxido de compuerta y la longitud del canal en los nodos tecnológicos de 180 nm y 250 nm. Tales tecnologías se simularon siguiendo las directrices proporcionadas en el ”International Technology Roadmap for Semiconductors”. Los cambios en las características eléctricas para las diferentes configuraciones se atribuyeron a los niveles de dopaje y difusión. Explicamos nuestros resultados en términos de corrientes de saturación, tensión umbral, movilidad efectiva y disminución de barrera inducida por drenaje. |
| metadata.dc.identifier.other: | 1271921 |
| URI : | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20828 |
| metadata.dc.type: | bachelorThesis |
| Aparece en las colecciones: | Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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