Bienvenido al Repositorio Institucional de la UTPL (RiUTPL) que tiene como propósito centralizar los recursos educativos y objetos de aprendizaje generados por la comunidad académica;
este repositorio permitirá preservar, organizar y visibilizar la producción institucional
bajo la licencia Creative Commons 4.0.
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956Registro completo de metadatos
| Campo DC | Valor | Lengua/Idioma |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Villamagua Conza, Luis Miguel | es_ES |
| dc.contributor.author | Rodríguez Ojeda, Israel Andrés | es_ES |
| dc.date.accessioned | 2017-10-05T18:05:59Z | - |
| dc.date.available | 2017-10-05T18:05:59Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | es_ES |
| dc.identifier.citation | Rodríguez Ojeda, I. A. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956 | es_ES |
| dc.identifier.other | Cobarc: 1272085 | es_ES |
| dc.identifier.uri | https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102240.TITN. | es_ES |
| dc.description | Resumen:El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva. | es_ES |
| dc.description.abstract | N/D | es_ES |
| dc.language.iso | spa | es_ES |
| dc.subject | Ecuador. | es_ES |
| dc.subject | Tesis digital. | es_ES |
| dc.title | Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta | es_ES |
| dc.type | masterThesis | es_ES |
| Aparece en las colecciones: | Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones | |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
|---|---|---|---|---|
| Rodríguez Ojeda, Israel Andrés.pdf | 2.09 MB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.