Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta

Rodríguez Ojeda, Israel Andrés

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Villamagua Conza, Luis Miguel	es_ES
dc.contributor.author	Rodríguez Ojeda, Israel Andrés	es_ES
dc.date.accessioned	2017-10-05T18:05:59Z	-
dc.date.available	2017-10-05T18:05:59Z	-
dc.date.issued	2017	es_ES
dc.identifier.citation	Rodríguez Ojeda, I. A. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956	es_ES
dc.identifier.other	Cobarc: 1272085	es_ES
dc.identifier.uri	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102240.TITN.	es_ES
dc.description	Resumen: El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva.	es_ES
dc.description.abstract	Abstract: The aim of the present research work the design and characterization of MOSFET devices as the gate oxide thickness is varied in a 250-nm technologic node. Changes in the electrical characteristics for the herein exploited configurations are ascribed to the doping levels, diffusion levels and oxidation methods (wet and dry). We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, and effective mobility.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Ecuador.	es_ES
dc.subject	Tesis digital.	es_ES
dc.title	Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta	es_ES
dc.type	masterThesis	es_ES
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