Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta

Rodríguez Ojeda, Israel Andrés

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Villamagua Conza, Luis Miguel	-
dc.contributor.author	Rodríguez Ojeda, Israel Andrés	-
dc.date.accessioned	2017-10-05T18:05:59Z	-
dc.date.available	2017-10-05T18:05:59Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.citation	Rodríguez Ojeda, Israel Andrés. (2017). Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta. (Trabajo de titulación de ingenieria en electrónica y telecomunicaciones). UTPL. Loja	es_ES
dc.identifier.other	1272085	-
dc.identifier.uri	http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956	-
dc.description	El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva.	es_ES
dc.description.abstract	The aim of the present research work the design and characterization of MOSFET devices as the gate oxide thickness is varied in a 250-nm technologic node. Changes in the electrical characteristics for the herein exploited configurations are ascribed to the doping levels, diffusion levels and oxidation methods (wet and dry). We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, and effective mobility.	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Movilidad efectiva.	es_ES
dc.subject	Portadores.	es_ES
dc.subject	Dopaje.	es_ES
dc.subject	Difusión.	es_ES
dc.title	Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta	es_ES
dc.type	bachelorThesis	es_ES
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