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http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956| Titel: | Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta |
| Autor(en): | Rodríguez Ojeda, Israel Andrés |
| Director: | Villamagua Conza, Luis Miguel |
| Stichwörter: | Ecuador. Tesis digital. |
| Erscheinungsdatum: | 2017 |
| Zitierform: | Rodríguez Ojeda, I. A. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956 |
| Zusammenfassung: | Abstract: The aim of the present research work the design and characterization of MOSFET devices as the gate oxide thickness is varied in a 250-nm technologic node. Changes in the electrical characteristics for the herein exploited configurations are ascribed to the doping levels, diffusion levels and oxidation methods (wet and dry). We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, and effective mobility. |
| Beschreibung: | Resumen: El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva. |
| Identifier : | Cobarc: 1272085 |
| URI: | https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102240.TITN. |
| Type: | masterThesis |
| Enthalten in den Sammlungen: | Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones |
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| Datei | Beschreibung | Größe | Format | |
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| Rodríguez Ojeda, Israel Andrés.pdf | 2.09 MB | Adobe PDF | Öffnen/Anzeigen |
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