Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta

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Title:	Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta
Authors:	Villamagua Conza, Luis Miguel Rodríguez Ojeda, Israel Andrés
Keywords:	Ecuador. Tesis digital.
Issue Date:	2017
Citation:	Rodríguez Ojeda, I. A. Villamagua Conza, L. M. (2017) Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta [Tesis de N/D, Universidad Técnica Particular de Loja]. Repositorio Institucional. https://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956
Abstract:	N/D
Description:	Resumen:El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva.
URI:	https://bibliotecautpl.utpl.edu.ec/cgi-bin/abnetclwo?ACC=DOSEARCH&xsqf99=102240.TITN.
Appears in Collections:	Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones

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