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http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956| Título : | Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta |
| Autor : | Villamagua Conza, Luis Miguel Rodríguez Ojeda, Israel Andrés |
| Palabras clave : | Movilidad efectiva. Portadores. Dopaje. Difusión. |
| Fecha de publicación : | 2017 |
| Citación : | Rodríguez Ojeda, Israel Andrés. (2017). Diseñar y caracterizar dispositivos mosfet 2D mediante diferentes métodos de deposición de óxido (SiO2) de compuerta. (Trabajo de titulación de ingenieria en electrónica y telecomunicaciones). UTPL. Loja |
| Resumen : | The aim of the present research work the design and characterization of MOSFET devices as the gate oxide thickness is varied in a 250-nm technologic node. Changes in the electrical characteristics for the herein exploited configurations are ascribed to the doping levels, diffusion levels and oxidation methods (wet and dry). We explain our results in terms of drain saturation currents, threshold voltage, and effective mobility. |
| Descripción : | El objetivo del presente trabajo de titulación es llevar a cabo el diseño y caracterización de dispositivos MOSFET, variando el espesor del óxido en la compuerta en el nodo tecnológico de 250 nm. Los cambios en las características eléctricas para las configuraciones examinadas se atribuyen a los niveles de dopaje, niveles de difusión y métodos de oxidación (húmedo y seco). Exponemos nuestros resultados en términos de corrientes se saturación drenaje-fuente, tensión umbral, y movilidad efectiva. |
| URI : | http://dspace.utpl.edu.ec/handle/20.500.11962/20956 |
| Aparece en las colecciones: | Ingeniero en Electrónica y Telecomunicaciones |
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| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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